در قالب اين اختراع استفاده از چاپگر سه‌بعدي مجهز به سيستم تزريق كنترل شده به همراه سيستم پخت نوري ارائه مي‌گردد. با استفاده از پخت نوري به‌عنوان مكانيزم استحكام بخشي قطعه، نيازي به افزايش دماي چاپگر نخواهد بود. در اين روش از پرتوهاي نور فرابنفش (UV) با طول موج زير 400 نانومتر براي پخت و استحكام بخشي قطعات استفاده مي‌شود. سيستم چاپ سه‌بعدي با مكانيزم تزريقي با سرعت بالا براي اولين بار تهيه شده‌است. روش اجرا به اين صورت است كه با استفاده از سيستم تزريق مواد سيال، جريان ماده از مخزن نگهدارنده تا نوك نازل ادامه مي‌يابد. در اين مرحله و پس از تزريق شدن ماده از نوك نازل به واسطۀ حضور حداقل ۴ وات نور به صورت دايره‌اي با زاويۀ 90 درجه گرداگرد نازل، پخت مواد تزريق شده صورت گرفته و ماده در مكان موردنظر ثابت مي‌گردد. در اين اختراع، سيستمي ساخته شده كه علاوه بر داشتن توانمندي هاي روش FDM، اغلب محدوديت‌هاي گسترده‌ استفاده از سيستم‌هاي چاپ هم‌افزاي متكي به استفاده از فن‌آوري FDM را ندارد.

اين اختراع با عنوان ساخت الكترود شفاف منعطف به روش چاپ براي كاربرد در سلول خورشيدي پليمري در حوزه انرژي مي باشد و در علوم مختلف و مرتبط با انرژي از جمله شيمي، مهندسي مواد، پليمر و فيزيك جا مي گيرد. افزايش مصرف سوخت هاي فسيلي در قرن اخير و همراه با آن افزايش انتشار گازهاي گلخانه اي، با آلودگي بيش از پيش محيط زيست و خسارات جبران ناپذير براي منابع حياتي همراه بوده است از اين رو انرژي هاي تجديد پذير جايگزين مناسبي براي سوخت هاي فسيلي مي باشند. امروزه از سلول خورشيدي پليمري به دليل مزايايي چون انعطاف پذيري، وزن سبك، قيمت ارزان استفاده مي شود. الكترودهاي شفاف نقش اصلي در ساخت سلول هاي خورشيدي ايفا مي كنند . محققان بدليل كمبود منابع اينديوم، قيمت بالا و پروسه توليد مشكل، بدنبال جايگزين كردن فلز اينديم قلع اكسايد(ITO) با مواد ديگر از جمله نانوساختارهاي فلزي هستند. مطالعات فراواني در زمينه سنتز نانوسيمها بر پايه مواد معدني با قابليت انعطاف پذير انجام شده است، به ويژه نانوسيم هاي نيمه رسانا كه داراي خصوصيات منحصربه فرد اپتيكي و كاربرد هاي ويژه اي در ساخت ديودهاي گسيل دهنده نور (LED)، ترانزيستورهاي اثر ميداني و سلول هاي فتوولتائيك (PV)دارند. روش هاي بسياري براي توليد الكترود هاي بر پايه نانوسيم هاي رسانا ارايه شده است كه روش الكتروپرينتينگ به دليل منظم بودن فايبر ها و بازدهي بالا مناسب تر مي باشد. در اين طرح اختراعي كه با يك الگوي منظم و از پيش طراحي شده خاص تهيه و طراحي شد عبارتند از: تشكيل ميكروفايبر بر روي لايه رسانا با فرآيند چاپ، اچ كردن لايه الكترود و استفاده از ميكروفايبر به عنوان ماسك. قطر ميكروفيبر ها ( ترجيحا 20 ميكرون) مي باشدكه به فاصله 500 ميكرون به صورت شبكه در جهات طولي و عرضي چاپ شده است. ميزان ميانگين مقاومت الكتريكي( ترجيحا 77 اهم بر سطح) و درصد عبور دهي نور( ترجيحا 80 درصد در طول موج 460 تا 800 نانومتر) مي باشد. همچنين قابليت الكترود در برابر خمش بررسي شد كه مقاومت اين الكترود تا دور 2500 همچنان برقرار است. با توجه به گزارش اكترود مناسب جهت استفاده در سلول خورشيدي مي باشد.

اين اختراع با عنوان چاپ شبكه PEDOT:PSS بر روي فيلم PET به عنوان الكترود شفاف انعطاف پذير در حوزه انرژي مي باشد و در علوم مختلف و مرتبط با انرژي از جمله شيمي، مهندسي مواد، پليمر و فيزيك جا مي گيرد. يكي از اهداف مهم در صنعت الكترونيك قابليت ساخت الكترود بر روي سطوح انعطاف پذير از جمله پليمر است تا بدين طريق روياي ساخت تجهيزات الكترونيكي سبك و انعطاف پذير تحقق يابد. لذا مقالات علمي متعددي بر نقش فناوري چاپ براي ساخت قطعات الكترونيكي تاكيد كرده اند. در ساخت صفحات اپتوالكترونيكي روش هاي متعددي مورد بررسي قرار گرفته است به طور مثال لايه نشاني با دستگاه لايه نشاني چرخشي كه در اين دستگاه ، تغيير در سرعت لايه نشاني، منجر به تغيير در مقادير هدايت و ضخامت لايه نشانده شده برروي الكترود مي گردد. همچنين استفاده از دستگاه برقريسي كه مشكلات خود را دارد و بدين منظور روش الكتروچاپ به دليل منظم بودن فايبر ها و بازدهي بالا مناسب تر مي باشد. محققان بدليل كمبود منابع اينديوم، قيمت بالا و پروسه توليد مشكل، بدنبال جايگزين كردن فلز اينديم قلع اكسايد (ITO) با مواد ديگر از جمله نانوساختارهاي فلزي و هر موادي كه بتواند جايگزين آن شود، هستند. بدين منظور مي توان از پليمرهاي رسانا از جمله PEDOT:PSS براي ساخت الكترودهاي شفاف و انعطاف پذير استفاده كرد. در اين طرح اختراعي با يك الگوي خاص تهيه و طراحي شده است كه به روش زير مي باشد: الكتروچاپ ميكروفيبر بر روي صفحه پليمر پلي اتيلن ترفتالات كه به صورت شبكه اي منظم در جهت هاي X و Y چاپ شده است. قطر ميكروفيبر ها حدود mμ50 و فاصله شبكه ها μm500 مي باشد. ميزان ميانگين رسانايي 104 *793/2زيمنس در متر(S.m )و درصد عبور دهي نور 80% مي باشد. همچنين قابليت الكترود در برابر خمش بررسي شد كه رسانايي اين الكترود تا دور 3000 همچنان برقرار است. با توجه به گزارش اكترود مناسب جهت استفاده در صفحات اپتوالكترونيكي مي باشد.